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    晶體定向生長的充分條件有哪些?

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    晶體定向生長的充分條件有哪些?

    發布日期:2017-06-22 00:00 來源:http://www.xiaolinhy.com 點擊:

    晶體定向生長是發生在固-液(或晶-液)界面上。通常為保證晶體粒生長只需使固-液界面附近很小區域熔體處于過冷態,絕大部分熔體處于過熱態(溫度高于Te )。已生長出的晶體溫度又需低于Te。就是說整個體系由熔體到晶體的溫度由過熱向過冷變化。過熱與過冷區的界面為等溫區。此面與晶體生長界面間的熔體為過冷熔體。且過冷度沿晶體生長反方向逐漸增大。晶體的溫度低。這種由晶體到熔體方向存在的溫度梯度是熱量輸運的必要條件。熱量由熔體經生長面傳向晶體,并由其轉出。


    高溫溶液法生長的結晶物質,須在高溫下,溶于助溶劑,形成過飽和溶液。因此,助溶劑選擇,溶液相關系的確定,是溶液生長晶體的先決條件。


    多晶硅是單質硅的一種形態。熔融的單質硅在過冷條件下凝固時,硅原子以金剛石晶格形態排列成許多晶核,如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒,則這些晶粒結合起來,就結晶成多晶硅。多晶硅可作拉制單晶硅的原料,多晶硅與單晶硅的差異主要表現在物理性質方面。


    利用固體在某一有機溶劑中的溶解度,隨溫度的變化,有 很大的變化,使其在高溫下達到飽和或接近飽和,然后緩慢冷卻,析 出晶核,生長成單晶。 一般,水,DMF, DMSO,尤其是離子液體適用此方法。 條件:溶解度隨溫度變化比較大。 經驗:高溫中溶解度越大越好,完全溶解。 推廣:建議大家考慮使用離子液體做溶劑,尤其是對多核或者 難溶性的配合物。



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